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存储芯片领域 中国迎来打破美日韩垄断关键一战

香港媒体称,Unisplendour集团的扬子存储,今天宣布已经在生产基于自主研发的三维64层Xtacking架构Flash(3D NAND),容量为256Gb,以满足固态硬盘(SSD)存储,嵌入式主流市场应用需求,这是中国首款64片三维闪存芯片将使中国与世界第一线三维闪存业务之间的技术差距缩小至不到两个多年来,被视为中国打破了美国和日韩关系一战的垄断局面。

据香港《大公报》近日报道,长江储存官方网站消息,上海中国国际半导体博览会召开前夕,该公司宣布已开始批量生产64层“三阶存储单元” “基于XtackingR架构的3D NAND闪存。作为中国首款64层3D NAND闪存,该产品将在Expo Purple Group的展位上亮相。

所谓的3D NAND是通过堆叠原始的平铺存储单元来提供多层结构以提供容量,使得仅具有一层的存储单元被堆叠成64层或更多层。

加快上市时间

该报告指出,长江存储64层3D闪存是世界上第一款基于Xtacking架构设计和批量生产的闪存产品,具有同代最高的存储密度。创新的Xtacking技术允许两个晶圆通过一个处理步骤通过数十亿个垂直互连通道(VIA)进行连接,与传统的3D闪存架构相比,传输速度更快,存储密度更高,产品发布周期更短。

长江储存相关负责人《大公报》表示,长江储存64层3D闪存产品的大规模生产将缩短中国与世界一线3D闪存之间的技术差距公司到不到两年。

紫光集团联席总裁紫石静表示,在长江储存进入该领域之前,中国没有大规模的储存芯片生产。在未来,随着云计算和大数据的发展,人类对数据存储的要求越来越高。三维闪存芯片是高端芯片的重要领域。它的大规模生产也标志着中国国际先进水平的一步,将中国产品和海外先进水平缩短到一代。

到明年年底生产60,000片晶圆

该报告称,内存芯片竞争激烈,三星,海力士,东芝,西部数据,美光和英特尔等巨头继续投资生产能力。在2018年,64层和72层3D NAND闪存已经是主要产品。 2019年,将开始大规模生产92层和96层产品。到2020年,大型制造商将很快进入大规模生产的128层3D NAND闪存。

在行业中,长江发展迅速,但目前保守。虽然尚未公布批量生产规模,但预计到2020年底,其产能将增加到每月60,000片晶圆。

据报道,长江大规模生产64层3D闪存产品有望将中国内存芯片的自我产量从8%提高到40%。在美国,日本和韩国的垄断下,存储在长江中的64层3D NAND闪存量产新闻具有特殊意义。

业内人士预测,明年长江储存将超过96层并直接进入128层3D闪存以实现转弯超车。据悉,长江存储已推出Xtacking2.0计划,以提高NAND吞吐率,提高系统级存储性能,并开放定制NAND新业务模式。相关产品将广泛应用于数据中心,企业服务器,个人电脑。和其他领域,如移动设备。

长江商店64层3D NAND闪存晶圆(长江仓储官方网站)

(编辑:王晨曦)